型号:IRFBE30S | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4.1A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3 欧姆 @ 2.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 78nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1300pF @ 25V |
功率_最大 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
深圳市瑞智芯科技有限公司 | 李先生0755-83089975 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
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